Newtechclub.com – Pertunjukan teknologi paling bergengsi di kancah global, Future of Memory and Storage (FMS) 2026, baru saja menjadi saksi bisu bagaimana Samsung menggebrak industri semikonduktor. Bertempat di Santa Clara, California, pada Rabu (5/8/2026) waktu setempat, raksasa teknologi asal Korea Selatan itu benar-benar memamerkan sederet senjata pamungkas di bidang memori dan penyimpanan data yang bikin para pengamat mata terbelalak. Namun, dari sekian banyak inovasi yang dipajang, satu nama berhasil mencuri perhatian utama dan menjadi buah bibir hangat di kalangan teknisi, yaitu V10 Bonded V-NAND (BV-NAND)—chip memori flash generasi terbaru yang dengan berani menyandang predikat sebagai yang pertama di dunia dengan tumpukan lebih dari 400 lapisan.
Keberhasilan Samsung menciptakan chip dengan kepadatan lapisan setinggi itu bukanlah hasil dari keajaiban, melainkan buah dari terobosan radikal dalam teknik produksi yang disebut bonding technology. Lewat metode canggih ini, Samsung mampu menyatukan dan menumpuk sel-sel memori secara luar biasa rapat, seolah-olah mereka sedang membangun gedung pencakar langit di atas lahan yang sangat terbatas. Implikasinya langsung terasa: Samsung dengan percaya diri mengklaim bahwa V10 BV-NAND mampu menampung data sekitar 58 persen lebih banyak dibandingkan pendahulunya, V9, tanpa perlu memperbesar ukuran fisik chip tersebut. Artinya, dalam ruang yang sama, pengguna bisa menyimpan nyaris dua kali lipat lebih banyak foto, video, atau basis data kompleks untuk kecerdasan buatan.
Bukan hanya kapasitas besar yang ditawarkan, karena Samsung juga mengklaim bahwa memori anyar ini dibekali dengan lompatan signifikan dalam hal kecepatan baca, tulis, serta kinerja input/output (I/O). Performa yang lebih tinggi ini otomatis membuat proses transfer data terasa lebih mulus, sementara konsumsi daya yang lebih hemat memastikan perangkat tidak cepat panas atau boros listrik. Dengan kata lain, V10 BV-NAND hadir sebagai solusi sempurna bagi perangkat-perangkat masa depan yang haus akan kecepatan dan efisiensi.
Sementara itu, panggung FMS 2026 juga menjadi saksi peluncuran produk panas lainnya, yaitu HBM5, yang merupakan generasi mutakhir dari High Bandwidth Memory. Memori berkecepatan tinggi ini memang sudah lama menjadi primadona di dunia komputasi, terutama karena perannya yang krusial sebagai pendamping setia chip-chip kecerdasan buatan (AI) yang membutuhkan akses data super cepat. Namun, Samsung tidak berhenti di situ, karena mereka juga sudah mulai mengirimkan sampel memori HBM4E kepada sejumlah pelanggan strategis, menandakan bahwa lini produk ini terus bergerak cepat mengikuti ritme kebutuhan industri.
Inovasi yang lebih mencengangkan lagi hadir melalui teknologi bernama zHBM. Berbeda dengan saudara-saudaranya yang biasa dipasang di samping chip AI layaknya sayap pesawat, zHBM hadir dengan filosofi desain yang sangat berbeda. Samsung merancang memori ini untuk ditumpuk secara vertikal, langsung di atas permukaan chip AI. Karena jarak tempuh data yang menjadi lebih pendek secara drastis, Samsung menjamin bahwa perpindahan informasi bisa terjadi lebih cepat dan efisien. Yang lebih mengejutkan lagi, raksasa teknologi itu dengan tegas mengklaim bahwa zHBM mampu memberikan performa hingga delapan kali lebih tinggi jika dibandingkan dengan HBM5, menawarkan kepadatan memori hingga 10 kali lebih padat, serta berhasil menekan konsumsi daya hingga tiga kali lebih hemat. Angka-angka ini jelas bukan sekadar basa-basi, melainkan terobosan yang bisa mengubah arsitektur komputasi AI di masa depan.
Samsung Siapkan Deretan “Amunisi” Khusus untuk AI
Visi besar Samsung di ajang tersebut tidak hanya berhenti pada peningkatan kecepatan, karena mereka juga menyadari bahwa ekosistem AI membutuhkan beragam solusi untuk berbagai lapisan kebutuhan. Karena itulah, mereka memperkenalkan zNAND-O, sebuah teknologi flash memory generasi baru yang dibangun di atas pondasi kokoh V-NAND. Saat ini, Samsung sedang mengembangkan zNAND-O dalam varian empat dan delapan lapisan, yang diklaim mampu memberikan efisiensi ruang yang lebih baik, performa I/O yang lebih tinggi, serta latensi yang jauh lebih rendah jika dibandingkan dengan NAND konvensional. Semua fitur ini bukanlah kebetulan, melainkan rancangan khusus agar zNAND-O menjadi tulang punggung bagi kebutuhan edge AI, yaitu pemrosesan kecerdasan buatan yang berlangsung lebih dekat dengan perangkat pengguna—mulai dari ponsel pintar hingga perangkat IoT.
Sementara zNAND-O difokuskan untuk urusan di sisi perangkat, Samsung menegaskan bahwa zHBM tetap diarahkan untuk misi yang lebih berat, yaitu pelatihan dan inferensi model-model AI raksasa yang berjalan di pusat data (data center). Pembagian tugas yang jelas ini menunjukkan betapa seriusnya Samsung dalam membangun lini pertahanan teknologi dari ujung ke ujung.
Masih ada satu lagi kejutan menarik yang mereka bawa, yaitu LPDDR5X-PIM. Samsung mengklaim bahwa ini adalah memori LPDDR pertama di industri yang mengadopsi teknologi canggih bernama Processing-In-Memory (PIM). Teknologi ini memungkinkan sebagian proses komputasi untuk dilakukan langsung di dalam memori itu sendiri, bahkan sebelum data akhirnya dikirim ke prosesor utama. Bayangkan seperti sebuah tim yang sudah mulai mengerjakan sebagian tugas di jalan, sehingga ketika sampai di kantor pusat, pekerjaan sudah setengah selesai. Pendekatan ini secara signifikan mampu meningkatkan bandwidth sekaligus menekan konsumsi daya, yang merupakan dua hal paling krusial dalam perangkat mobile dan AI.
Semua paparan teknologi futuristik tersebut disampaikan Samsung dalam presentasi utama mereka yang bertajuk “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture”, sebagaimana dihimpun dari laporan GSM Arena. Dengan deretan inovasi ini, Samsung seolah-olah mengirimkan pesan keras bahwa mereka tidak hanya siap mengikuti arus revolusi AI, tetapi juga berniat untuk menjadi pembuat ombak terbesar di lautan teknologi global.
Temukan juga berbagai berita terbaru lainnya hanya di Exposenews.id.
